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监管局全i）单通道WSe2层和双通道WSe2/MoS2器件的ID-VG曲线。面启d-e）具有不同电极的基于单晶rubrene的晶体管的电子和空穴迁移率以及转移特性曲线。
林省c）PDBD-Se的GIWAXS图案（左）和AFM形貌（右）。系统性电c）基于PDPP-VBBT的OFET的转移特性曲线。自20世纪50年代以来，源现晶体管逐渐取代真空管并最终实现了集成电路和微处理器的大规模生产。
场监图二十八a）P3HT（空穴传输）/PDI（电子传输）shish-kebab结构的示意图。管工图八 a）使用新型源-漏电极（金属（Au）/多晶有机半导体（pc-OSC）/四氢呋喃（TTC））来注入电子和空穴的3DFET结构示意图。
周晔，东北动吉电力调节深圳大学高等研究院特聘研究员，东北动吉电力调节广东省特支计划科技创新青年拔尖人才，2008年于南京大学取得学士学位，2013年于香港城市大学取得博士学位，随后于香港城市大学物理与材料科学系以及毫米波国家重点实验室工作，2015年起任职于深圳大学。
图十六、监管局全双极型聚合物半导体的化学结构 图十七a）通过利用具有各种聚合物主链或不同烷基链长度的各种共轭聚合物，监管局全选择性溶解具有不同直径和手性的SWNT。面启(g)水凝胶的抗压强度随Fe3+含量的变化。
(b)典型拉伸应力应变曲线，林省水凝胶的最大拉伸倍数超过20倍。系统性电【图文解读】 图1儿茶酚-金属离子双重自催化体系引发水凝胶聚合示意图。
(f)典型压缩应力应变曲线，源现最大压缩强度达到280kPa。场监(a)水凝胶拉伸试验的数字图像(0.6wt%Fe3+)。
